结果被第一性原理分子动力学模拟所证实，投资并与最近的实验观察相一致。

结果被第一性原理分子动力学模拟所证实，虚火并与最近的实验观察相一致。投资(b)3R堆垛的si-TaS2的ic-Ta原子形成能Ef随插层浓度变化的包络曲线。

虚火(b)基于si-TaS2的逻辑器件与门。(a)c=33%时的2H和3R堆垛si-TaS2中单体、投资二聚体、三聚体和四聚体的ICOHP。利用外来原子或分子，虚火包括碱金属、虚火贵金属等金属原子和一系列有机分子，插入该间隙可以改变材料的晶格结构和成分，进而有效的调控材料的电学、磁学等性质，因此插层技术在热电、催化、能源等领域具有有益的潜在应用前景。

投资该研究成果以MechanismRegulatingSelf-IntercalationinLayeredMaterials为题发表在NanoLetters上。虚火最近的实验报道了一类自插层（插入TMDs本身的金属原子）的TMDs,其化学计量可以通过改变插层原子浓度在宽范围内进行调节。

然而，投资层间插层原子（ic-M）的组装机制尚不清晰，阻碍了对性质的精确调控和器件的合理设计。

虚火(c)2H堆垛的si-TaS2的ic-Ta原子形成能Ef随插层浓度变化的包络曲线。投资（e）水解离过程的能量比较。

虚火（f）析氢反应过程的自由能图。投资（f）层间限域NiFe@MoS2形成过程的示意图。

江西师范大学为第一完成单位并且是唯一通讯单位，虚火袁彩雷教授为本文唯一通讯作者。投资（f）在j=150mA/cm2高电流密度下进行100小时j-t测试后阴极层间限域NiFe@MoS2的ESR谱图文章链接：https://doi.org/10.1002/adma.202300505本文由作者供稿